耐久性测试装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种耐久性测试装置，包括上位机和下位机组，所述上位机和所述下位机组连接，所述下位机组包括承载器件和n个下位机，每个所述下位机均包括控制模块、存储模块、地址选择模块和m个检测连接模块，所述存储模块、所述地址选择模块、m个所述检测连接模块和所述上位机均与所述控制模块连接，且所述控制模块与所述承载器件连接，m和n均为大于0的自然数。所述耐久性测试装置中，所述下位机组包括n个下位机，所述下位机包括m个所述检测连接模块，m个所述检测连接模块能够使所述耐久性测试装置同时与多个待测存储器件连接，从而实现多个待测存储器件的同时检测，提高检测的效率。
基本信息
专利标题 ：
耐久性测试装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921282309.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-06
授权号 ：
CN209980793U
授权日 ：
2020-01-21
发明人 ：
张新龙王浩宾郝清山
申请人 ：
上海亿存芯半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区盛夏路570号807室
代理机构 ：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄海霞
优先权 ：
CN201921282309.9
主分类号 ：
G11C29/56
IPC分类号 ：
G11C29/56
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/48
专门适用于从外部到存储器的静态存储中的测试装置，例如：用直接存储器存取或者用辅助访问路径
G11C29/56
用于静态存储器的外部测试装置，例如，自动测试设备；所用接口
法律状态
2020-01-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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