共蒸发结合后退火工艺制备AlSb薄膜
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
共蒸发结合后退火工艺制备AlSb薄膜，本项发明所属域为新型光电子材料。在开发新型太阳能电池材料的过程中，AlSb由于具有能隙宽度为1.6eV，可吸收太阳可见光谱能量的98％因而受到人们的重视。目前制备高质量AlSb薄膜的方法和手段较少，主要有AlSb单晶溅射沉积，高温衬底Al、Sb共蒸发沉积。用单晶溅射沉积需要高品质的AlSb单晶，由于原料成本问题，此法难以在太阳电池中采用；高温衬底共蒸发，需在高真空条件下对衬底加温600℃以上，对沉积设备要求很高。本发明主要是采用室温衬底共蒸发Al、Sb，然后用退火方法来获得AlSb薄膜，使得共蒸发设备成本大幅降低，有利于工业化制备AlSb薄膜。
基本信息
专利标题 ：
共蒸发结合后退火工艺制备AlSb薄膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1766170A
申请号 ：
CN200510021978.7
公开（公告）日 ：
2006-05-03
申请日 ：
2005-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
雷智冯良桓姚菲菲张静全黎兵李卫武莉莉
申请人 ：
四川大学
申请人地址 ：
610041四川省成都市一环路南一段24号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510021978.7
主分类号 ：
C23F17/00
IPC分类号 ：
C23F17/00 C23C14/24 C21D1/26
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料；金属材料的缓蚀；一般防积垢；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F17/00
包括C23大类中所列入的至少一种工艺及C21D、C22F小类或C25大类中所列入的至少一种工艺之多步法金属材料表面处理工艺
法律状态
2008-07-09 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-06-28 ：
实质审查的生效
2006-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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