场发射阴极及平面光源

发明专利更正

摘要

本发明涉及一种场发射阴极，该场发射阴极包括：一阴极导电层及一形成在所述阴极导电层上的电子发射体，所述电子发射体含有碳纳米管及吸气剂材料。本发明还涉及一种采用上述场发射阴极的平面光源，该平面光源包括：上述场发射阴极；及一阳极，其包括一阳极导电层及一形成在阳极导电层上的荧光体层，该荧光体层和电子发射体相对。该平面光源能有效维持平面光源内部一定的真空度，使平面光源的使用寿命长。

基本信息

专利标题：

场发射阴极及平面光源

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1937136A

申请号：

CN200510037510.7

公开（公告）日：

2007-03-28

申请日：

2005-09-22

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

郭彩林潜力唐洁刘亮杜秉初胡昭复陈丕瑾范守善

申请人：

清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司

申请人地址：

100084北京市海淀区清华大学物理系

代理机构：

代理人：

优先权：

CN200510037510.7

主分类号：

H01J1/304

IPC分类号：

H01J1/304 H01J63/00 H01J31/12

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01J

放电管或放电灯

H01J1/00

电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔，通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件

H01J1/02

主电极

H01J1/30

冷阴极

H01J1/304

场致发射阴极

法律状态

2011-04-27 ：

发明专利更正

2011-04-27 ：

发明专利更正

2011-04-27 ：

发明专利更正

2011-01-05 ：

授权

2007-05-23 ：

实质审查的生效

2007-03-28 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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