片层剥离纳米蒙脱土的制备方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种片层剥离纳米蒙脱土的制备方法，尤其涉及一种采用机械法制备纳米蒙脱土的方法。它包括下述步骤：采用机械化学法对钠基蒙脱土进行有机插层改性，改性蒙脱土的水洗干燥和机械法对干燥后的改性蒙脱土进行片层剥离。本发明对有机插层改性后的蒙脱土进行适当的机械研磨从而得到了良好的片层剥离的纳米蒙脱土，本发明制备方法流程简单、适合工业化生产。
基本信息
专利标题 ：
片层剥离纳米蒙脱土的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1792791A
申请号 ：
CN200510047794.8
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李三喜翟辉赵效忠伞晓广李天一曲琛李伟
申请人 ：
沈阳化工学院
申请人地址 ：
110142辽宁省沈阳市沈阳经济技术开发区11号街
代理机构 ：
辽宁沈阳国兴专利代理有限公司
代理人 ：
李丛
优先权 ：
CN200510047794.8
主分类号 ：
C01B33/40
IPC分类号 ：
C01B33/40 C01B33/44
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/20
硅酸盐
C01B33/36
具有碱交换特性而不具有分子筛特性
C01B33/38
层状碱交换硅酸盐，如黏土、云母类或水羟硅钠石或麦羟硅钠石类的碱金属硅酸盐
C01B33/40
黏土类
法律状态
2011-02-02 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101035929588
IPC(主分类) : C01B 33/40
专利号 : ZL2005100477948
申请日 : 20051123
授权公告日 : 20090729
终止日期 : 20091223
号牌文件序号 : 101035929588
IPC(主分类) : C01B 33/40
专利号 : ZL2005100477948
申请日 : 20051123
授权公告日 : 20090729
终止日期 : 20091223
2009-07-29 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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