通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管及制作方法

专利权的终止

摘要

一种通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管，包括：一硅衬底；一氧化物绝缘层制作在硅衬底上；一硅纳米电导细线制作在氧化物绝缘层上；一源极和漏极分别制作在氧化物绝缘层上，分别位于硅纳米电导细线的两端，并与硅纳米电导细线连接；一平面栅电极制作在氧化物绝缘层上；一氧化物薄层包裹在源极、漏极、硅纳米电导细线和平面栅电极的表面；二个氧化物隧穿结是通过注氧和热氧化形成的，埋于硅纳米电导细线的内部，并由氧化物隧穿结所限制；二个掩膜窗口包裹在硅纳米电导细线表面的氧化物薄层上，位于氧化物隧穿结上面。

基本信息

专利标题：

通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管及制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1953205A

申请号：

CN200510086640.X

公开（公告）日：

2007-04-25

申请日：

2005-10-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

韩伟华张扬刘剑杨富华

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

优先权：

CN200510086640.X

主分类号：

H01L29/772

IPC分类号：

H01L29/772 H01L21/335