低漏电低时钟信号摆幅条件预充CMOS触发器
专利权的终止
摘要
本发明属于CMOS触发器技术领域,其特征在于:第一级锁存器采用由输入数据控制的改进的条件预充控制电路,减小了触发器自身的动态功耗和泄漏电流功耗;第一级锁存器的两个输出节点分别连接到两个独立的并具有相同电路参数的单时钟锁存器上,保证了触发器互补输出端的上升和下降的延时对称;把时钟信号接在控制充电电路的NMOS管上,减少了充电通路的寄生电容,提高了电路的速度;同时,在第一级锁存器中,减去了提供衬底偏置的额外的高电压电源线,简化了结构;本发明具有低漏电、低时钟信号摆幅、触发器输出端的上升和下降对称的优点。
基本信息
专利标题 :
低漏电低时钟信号摆幅条件预充CMOS触发器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1758537A
申请号 :
CN200510086916.4
公开(公告)日 :
2006-04-12
申请日 :
2005-11-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨华中乔飞汪蕙
申请人 :
清华大学;潮州市创佳电子有限公司
申请人地址 :
100084北京市北京100084-82信箱
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200510086916.4
主分类号 :
H03K3/012
IPC分类号 :
H03K3/012 H03K3/356 H03K3/00
法律状态
2017-01-11 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101696185134
IPC(主分类) : H03K 3/012
专利号 : ZL2005100869164
申请日 : 20051118
授权公告日 : 20101208
终止日期 : 20151118
号牌文件序号 : 101696185134
IPC(主分类) : H03K 3/012
专利号 : ZL2005100869164
申请日 : 20051118
授权公告日 : 20101208
终止日期 : 20151118
2010-12-08 :
授权
2006-06-07 :
实质审查的生效
2006-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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