半导体平台工艺
专利权的终止
摘要
半导体平台工艺技术是一种特别适用于微波功率半导体二极管和三极管研制生产的工艺技术，该平台工艺技术将平面工艺和台面工艺两者的优点结合起来，在PN结的边缘扩散一个较深的结，以使PN结本身具备尽可能高的击穿电压。在该结外侧耗尽区宽度范围内腐蚀硅形成台面结构。台面本身能够承担较高的击穿电压，同时阻挡了PN结耗尽面积的进一步扩展，从而减小了PN结电容。台面和PN结两者分担的电压之和使晶体管集电结总的击穿电压得到提高。从而能够满足微波功率三极管对微波性能和功率性能的要求。
基本信息
专利标题 ：
半导体平台工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794432A
申请号 ：
CN200510095387.4
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
傅义珠
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请人地址 ：
210016江苏省南京市中山东路524号
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
叶连生
优先权 ：
CN200510095387.4
主分类号 ：
H01L21/331
IPC分类号 ：
H01L21/331
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/33
包括3个或更多电极的器件
H01L21/331
晶体管
法律状态
2018-11-02 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/331
申请日 : 20051111
授权公告日 : 20080109
终止日期 : 20171111
申请日 : 20051111
授权公告日 : 20080109
终止日期 : 20171111
2016-10-19 ：
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
专利实施许可合同备案的注销号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101740478266
IPC(主分类) : H01L 21/331
专利申请号 : 2005100953874
专利号 : 2005100953874
合同备案号 : 2015320000653
让与人 : 中国电子科技集团公司第五十五研究所
受让人 : 扬州国宇电子有限公司
发明名称 : 无
解除日 : 20160922
号牌文件序号 : 101740478266
IPC(主分类) : H01L 21/331
专利申请号 : 2005100953874
专利号 : 2005100953874
合同备案号 : 2015320000653
让与人 : 中国电子科技集团公司第五十五研究所
受让人 : 扬州国宇电子有限公司
发明名称 : 无
解除日 : 20160922
2016-01-13 ：
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101726719960
IPC(主分类) : H01L 21/331
专利申请号 : 2005100953874
专利号 : ZL2005100953874
合同备案号 : 2015320000653
让与人 : 中国电子科技集团公司第五十五研究所
受让人 : 扬州国宇电子有限公司
发明名称 : 半导体平台工艺
申请日 : 20051111
申请公布日 : 20060628
授权公告日 : 20080109
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 20151217
号牌文件序号 : 101726719960
IPC(主分类) : H01L 21/331
专利申请号 : 2005100953874
专利号 : ZL2005100953874
合同备案号 : 2015320000653
让与人 : 中国电子科技集团公司第五十五研究所
受让人 : 扬州国宇电子有限公司
发明名称 : 半导体平台工艺
申请日 : 20051111
申请公布日 : 20060628
授权公告日 : 20080109
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 20151217
2015-12-23 ：
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
专利实施许可合同备案的注销号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101725572249
IPC(主分类) : H01L 21/331
专利申请号 : 2005100953874
专利号 : 2005100953874
合同备案号 : 2010320000882
让与人 : 中国电子科技集团公司第五十五研究所
受让人 : 扬州国宇电子有限公司
发明名称 : 无
解除日 : 20151125
号牌文件序号 : 101725572249
IPC(主分类) : H01L 21/331
专利申请号 : 2005100953874
专利号 : 2005100953874
合同备案号 : 2010320000882
让与人 : 中国电子科技集团公司第五十五研究所
受让人 : 扬州国宇电子有限公司
发明名称 : 无
解除日 : 20151125
2010-09-01 ：
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101007024604
IPC(主分类) : H01L 21/331
专利申请号 : 2005100953874
专利号 : ZL2005100953874
合同备案号 : 2010320000882
让与人 : 中国电子科技集团公司第五十五研究所
受让人 : 扬州国宇电子有限公司
发明名称 : 半导体平台工艺
申请日 : 20051111
公开日 : 20060628
授权公告日 : 20080109
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 20100708
号牌文件序号 : 101007024604
IPC(主分类) : H01L 21/331
专利申请号 : 2005100953874
专利号 : ZL2005100953874
合同备案号 : 2010320000882
让与人 : 中国电子科技集团公司第五十五研究所
受让人 : 扬州国宇电子有限公司
发明名称 : 半导体平台工艺
申请日 : 20051111
公开日 : 20060628
授权公告日 : 20080109
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 20100708
2008-01-09 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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