具有放大的光检测区域的图像传感器及其制造方法
授权
摘要
提供了一种具有三维集成结构的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件及其制造方法。一种图像传感器包括：第一基板结构，在该结构中形成光检测器件；第二基板结构，在该结构中形成外围电路，其中所述第一基板和第二基板通过形成于所述第一基板和第二基板上的多个接合垫而接合，且所述第一基板的背面被翻转；以及微透镜，形成于所述第一基板的背面的顶部上。
基本信息
专利标题 ：
具有放大的光检测区域的图像传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822379A
申请号 ：
CN200510097523.3
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴祥均
申请人 ：
美格纳半导体有限会社
申请人地址 ：
韩国忠清北道
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐谦
优先权 ：
CN200510097523.3
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L21/82
法律状态
2009-08-19 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
