容差输入电路
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种容差输入电路(200;300;400;500),不论制造差异如何,都稳定工作,而不必调整输入电路(2)的阈值。该容差输入电路包括降压设备,该电压设备是由连接在输入垫(1)和输入电路之间的N沟道MOS晶体管(Tr3)所配置的。来自电源(VDD)的电压被提供到降压设备中的N沟道MOS晶体管的栅极,以将提供到输入垫的高电压信号的电压减小到电源电压或更低。电压减小后的信号被提供到输入电路。该容差输入电路包括背栅电压控制电路(4),用于在输入垫被提供高电压信号时,增大降压设备中的N沟道MOS晶体管的背栅电压。
基本信息
专利标题 :
容差输入电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1841931A
申请号 :
CN200510105861.7
公开(公告)日 :
2006-10-04
申请日 :
2005-09-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
铃木丰树富田光明岩本雅博宇野治
申请人 :
富士通株式会社
申请人地址 :
日本神奈川县
代理机构 :
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 :
赵淑萍
优先权 :
CN200510105861.7
主分类号 :
H03K19/0185
IPC分类号 :
H03K19/0185
法律状态
2020-09-18 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H03K 19/0185
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20101013
终止日期 : 20190929
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20101013
终止日期 : 20190929
2015-06-03 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101715933697
IPC(主分类) : H03K 19/0185
专利号 : ZL2005101058617
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 富士通半导体股份有限公司
变更后权利人 : 株式会社索思未来
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县
变更后权利人 : 日本神奈川县
登记生效日 : 20150514
号牌文件序号 : 101715933697
IPC(主分类) : H03K 19/0185
专利号 : ZL2005101058617
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 富士通半导体股份有限公司
变更后权利人 : 株式会社索思未来
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县
变更后权利人 : 日本神奈川县
登记生效日 : 20150514
2010-10-13 :
授权
2008-11-26 :
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
登记生效日 : 20081024
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 富士通株式会社
变更后权利人 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县
变更后权利人 : 日本东京都
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 富士通株式会社
变更后权利人 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县
变更后权利人 : 日本东京都
2006-12-06 :
实质审查的生效
2006-10-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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