半导体装置及其制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
提供一种半导体装置及其制造方法。目的在于形成具有绝缘性和平坦性的绝缘膜。通过在包含不活泼气体作为其主要成分并具有5％或更低的氧气浓度和1％或更低的水浓度的气氛中对涂敷后的包含硅氧烷聚合物的树脂进行加热处理，形成绝缘膜。优选地，氧气浓度是1％或更低，水浓度为0.1％或更低。包含硅氧烷的树脂包含甲基和苯基。而且，不活泼气体是氮气。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1770405A
申请号 ：
CN200510107058.7
公开（公告）日 ：
2006-05-10
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大谷久森谷幸司坂倉真之大沼英人
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
岳耀锋
优先权 ：
CN200510107058.7
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
2011-09-14 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101183783721
IPC(主分类) : H01L 21/31
专利申请号 : 2005101070587
公开日 : 20060510
号牌文件序号 : 101183783721
IPC(主分类) : H01L 21/31
专利申请号 : 2005101070587
公开日 : 20060510
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2006-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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