含有单氟乙撑桥键的液晶化合物及其制备方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了含有单氟乙撑桥键的液晶化合物及其制备方法。本发明所提供的含有单氟乙撑桥键的液晶化合物,具有式I的结构,其中,n为1-7的正整数;m为1-5的正整数。本发明液晶化合物的中心桥键上出现氟原子,制备方法简单,具有熔点低,宽液晶相温度范围和低粘度等特点,在液晶显示领域将具有广阔的应用前景。
基本信息
专利标题 :
含有单氟乙撑桥键的液晶化合物及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1743414A
申请号 :
CN200510109069.9
公开(公告)日 :
2006-03-08
申请日 :
2005-10-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
唐洪梁晓王浩蒋育冬
申请人 :
清华大学
申请人地址 :
100084北京市海淀区清华园
代理机构 :
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 :
关畅
优先权 :
CN200510109069.9
主分类号 :
C09K19/06
IPC分类号 :
C09K19/06
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C09
染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料;不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K19/00
液晶材料
C09K19/04
以液晶组分的化学结构为特征的
C09K19/06
非甾族液晶化合物
法律状态
2015-12-09 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101636685726
IPC(主分类) : C09K 19/06
专利号 : ZL2005101090699
申请日 : 20051017
授权公告日 : 20070801
终止日期 : 20141017
号牌文件序号 : 101636685726
IPC(主分类) : C09K 19/06
专利号 : ZL2005101090699
申请日 : 20051017
授权公告日 : 20070801
终止日期 : 20141017
2007-08-01 :
授权
2006-05-03 :
实质审查的生效
2006-03-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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