含有单氟乙撑桥键的液晶化合物及其制备方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了含有单氟乙撑桥键的液晶化合物及其制备方法。本发明所提供的含有单氟乙撑桥键的液晶化合物，具有式I的结构，其中，n为1－7的正整数；m为1－5的正整数。本发明液晶化合物的中心桥键上出现氟原子，制备方法简单，具有熔点低，宽液晶相温度范围和低粘度等特点，在液晶显示领域将具有广阔的应用前景。

基本信息

专利标题：

含有单氟乙撑桥键的液晶化合物及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1743414A

申请号：

CN200510109069.9

公开（公告）日：

2006-03-08

申请日：

2005-10-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

唐洪梁晓王浩蒋育冬

申请人：

清华大学

申请人地址：

100084北京市海淀区清华园

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

关畅

优先权：

CN200510109069.9

主分类号：

C09K19/06

IPC分类号：

C09K19/06

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C09

染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用

C09K

不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用

C09K19/00

液晶材料

C09K19/04

以液晶组分的化学结构为特征的

C09K19/06

非甾族液晶化合物

法律状态

2015-12-09 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101636685726
IPC(主分类) : C09K 19/06
专利号 : ZL2005101090699
申请日 : 20051017
授权公告日 : 20070801
终止日期 : 20141017

2007-08-01 ：

授权

2006-05-03 ：

实质审查的生效

2006-03-08 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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