高压集成电路中制作高阻值多晶硅电阻的方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明公开了一种高压集成电路中制作高阻值多晶硅电阻的方法，直接利用未经硅化的原位掺砷的多晶硅栅极材料兼作电阻元件，在刻蚀多晶硅栅极时一并将高阻值电阻区域刻出，最后进行多晶硅淀积后的热过程。本发明在节省注入掩膜板的情况下获得阻值稳定、面内均匀性好的1000欧姆/方块电阻。

基本信息

专利标题：

高压集成电路中制作高阻值多晶硅电阻的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1964019A

申请号：

CN200510110230.4

公开（公告）日：

2007-05-16

申请日：

2005-11-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

俞波王飞郑萍

申请人：

上海华虹NEC电子有限公司

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

优先权：

CN200510110230.4

主分类号：

H01L21/82

IPC分类号：

H01L21/82

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

法律状态

2014-02-05 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140108
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101689499085
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利号 : ZL2005101102304

2009-05-20 ：

授权

2007-07-11 ：

实质审查的生效

2007-05-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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