静磁场作用下原位自生MgB2超导材...
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种静磁场作用下原位自生MgB2超导材料的制备方法，属低温超导材料制备工艺技术领域。本发明方法是采用高纯度的Mg粉和B粉做原料，按规定的化学计量比配料，即Mg∶B＝0.7∶2.0～1.3∶2.0；在套管法的基础上运用强度为1～100T(特斯拉)的静磁场；Mg和B粉末的原位自生反应温度在600～1000℃范围内。本发明方法可以制得晶粒细小、晶向排列一致、晶界面积大、晶界间杂质少，结构致密以及超导电性临界电流密度高的低温超导材料。
基本信息
专利标题 ：
静磁场作用下原位自生MgB2超导材料的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1792792A
申请号 ：
CN200510110736.5
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
任忠鸣李喜邓康钟云波李瑛朱明原窦士学
申请人 ：
上海大学
申请人地址 ：
200444上海市宝山区上大路99号
代理机构 ：
上海上大专利事务所
代理人 ：
何文欣
优先权 ：
CN200510110736.5
主分类号 ：
C01B35/04
IPC分类号 ：
C01B35/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B35/00
硼; 其化合物
C01B35/02
硼；硼化物
C01B35/04
金属硼化物
法律状态
2007-10-31 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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