一种掺杂硼磷的硅玻璃填孔工艺
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明公开了一种掺杂硼磷的硅玻璃填孔工艺，将工艺中反应时的压力控制在600托，然后在用氮气退火使其致密，氮气退火温度可为800摄氏度或者850摄氏度。本发明由于将传统工艺中的压力提高到600torr，显著提高了BPSG的填孔能力，可以明显提高SAT BPSG的填孔能力，满足目前MSRAM和DRAM中对PMD的填孔性要求。
基本信息
专利标题 ：
一种掺杂硼磷的硅玻璃填孔工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1982246A
申请号 ：
CN200510111551.6
公开（公告）日 ：
2007-06-20
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
严玮龚剑峰
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510111551.6
主分类号 ：
C03C19/00
IPC分类号 ：
C03C19/00 C03C17/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C03
玻璃；矿棉或渣棉
C03C
玻璃、釉或搪瓷釉的化学成分；玻璃的表面处理；由玻璃、矿物或矿渣制成的纤维或细丝的表面处理；玻璃与玻璃或与其他材料的接合
C03C19/00
用机械方法进行纤维或丝之外的玻璃表面处理
法律状态
2014-02-05 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101689499093
IPC(主分类) : C03C 19/00
专利号 : ZL2005101115516
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140108
号牌文件序号 : 101689499093
IPC(主分类) : C03C 19/00
专利号 : ZL2005101115516
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140108
2009-12-30 ：
授权
2007-08-15 ：
实质审查的生效
2007-06-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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