哑元图案和机械增强低K介电材料的制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供包括表面区域的半导体衬底。该方法形成覆盖在表面区域上的第一层间介电层和覆盖在第一层间介电层上的互连层。该方法还形成了覆盖在互连层上的低K介电层，它具有预定形状。该方法形成覆盖在低K介电层上的铜互连层。在优选实施方案中，低K介电层采用在部分低K介电层内提供的哑元图案结构维持预定形状为了机械支撑和维持互连层和铜互连层之间的低K介电层的预定形状。
基本信息
专利标题 ：
哑元图案和机械增强低K介电材料的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1988146A
申请号 ：
CN200510111998.3
公开（公告）日 ：
2007-06-27
申请日 ：
2005-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宁先捷
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址 ：
201203上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
肖善强
优先权 ：
CN200510111998.3
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2009-07-01 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-08-22 ：
实质审查的生效
2007-06-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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