基于微电子加工技术的电离气体传感器微阵列结构
专利权的终止
摘要

一种微电子技术领域的电离气体传感器微阵列结构。本发明包括:衬底、微电极阵列、微电极条单元、传感器单元,所述的微电极阵列设置在衬底上,包括多个微电极条单元,每对相邻阴阳电极条构成侧壁电极对,可产生可控电场,从而构成一个传感器单元,多个传感器单元组成微电极阵列,依据各个传感器单元内的相邻阴阳电极条的平面几何形状与间距是否相同,传感器单元分为等同单元和相异单元。本发明适于微电子加工技术加工,可将电极形状、间距的多种组合集成在一个微阵列中,因此能对目标气体放电现象的不同电学特征进行系统检测,可以增加检测精度和准确度,易于形成高敏感性、选择性、稳定性、工作安全性和低能耗的微型传感器阵列系统。

基本信息
专利标题 :
基于微电子加工技术的电离气体传感器微阵列结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1808111A
申请号 :
CN200510112218.7
公开(公告)日 :
2006-07-26
申请日 :
2005-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
侯中宇蔡炳初张亚非徐东魏星
申请人 :
上海交通大学
申请人地址 :
200240上海市闵行区东川路800号
代理机构 :
上海交达专利事务所
代理人 :
王锡麟
优先权 :
CN200510112218.7
主分类号 :
G01N27/62
IPC分类号 :
G01N27/62  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/62
通过测试气体的电离,例如气溶胶;通过测试放电,例如阴极发射
法律状态
2012-03-14 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101197730196
IPC(主分类) : G01N 27/62
专利号 : ZL2005101122187
申请日 : 20051229
授权公告日 : 20080716
终止日期 : 20101229
2008-07-16 :
授权
2006-09-20 :
实质审查的生效
2006-07-26 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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