磁共振成像装置的超导电磁铁装置
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摘要
本发明的磁共振成像装置的超导电磁铁装置能减小配置在超导主线圈和超导屏蔽线圈间的强磁性体磁化特性的偏差影响。磁共振成像装置的超导电磁铁装置具备：一对超导主线圈(7)，在一对超导主线圈的轴上离开超导主线圈并设于与观察区域相反侧的一对超导屏蔽线圈(8)，在从超导主线圈的空心部至超导屏蔽线圈的空心部的空间的一部分上配置的强磁性体(14)，上述超导屏蔽线圈的外径做成比上述超导主线圈的外径大，上述强磁性体同轴配置形成多个轴对称的强磁性体构件(15、16、17)，而且，除了轴心部外，由于在径向的至少一部分具有空间部，因而易于使强磁性体构件(15、16、17)磁饱和，使强磁性体磁化特性的偏差的影响变小。
基本信息
专利标题 ：
磁共振成像装置的超导电磁铁装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1758068A
申请号 ：
CN200510112518.5
公开（公告）日 ：
2006-04-12
申请日 ：
2005-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中山武阿部充志渡边洋之高桥正典
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
熊志诚
优先权 ：
CN200510112518.5
主分类号 ：
G01R33/38
IPC分类号 ：
G01R33/38
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/20
涉及磁共振
G01R33/28
G01R33/44到G01R33/64各组中仪器的零部件
G01R33/38
主磁场或梯度磁场的产生、均匀或稳定系统
法律状态
2010-06-09 ：
授权
2006-06-07 ：
实质审查的生效
2006-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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