辐射探测器无源效率刻度的方法
授权
摘要
本发明属于辐射测量技术领域，具体为一种高纯锗、碲化锌镉等辐射测量探测器的效率刻度方法。该方法不需要准确获得晶体尺寸及灵敏区尺寸，而仅需依据探测器说明书上粗略给出的晶体尺寸，在蒙特卡罗直接计算基础上结合效率传递因子，可快速、准确地实现探测器的无源效率刻度。
基本信息
专利标题 ：
辐射探测器无源效率刻度的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1948996A
申请号 ：
CN200510112535.9
公开（公告）日 ：
2007-04-18
申请日 ：
2005-10-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘立业马吉增张斌全潘红娟金月如张勇任泽仲
申请人 ：
中国辐射防护研究院
申请人地址 ：
030006山西省太原市学府街270号
代理机构 ：
核工业专利中心
代理人 ：
任晓航
优先权 ：
CN200510112535.9
主分类号 ：
G01T1/24
IPC分类号 ：
G01T1/24
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01T
核辐射或X射线辐射的测量
G01T1/00
X射线辐射、γ射线辐射、微粒子辐射或宇宙线辐射的测量
G01T1/16
辐射强度测量
G01T1/24
用半导体探测器
法律状态
2008-07-02 ：
授权
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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