本发明公开了一种缩减一微机电元件的尺寸的方法。该方法包括首先提供一单晶硅基底，且单晶硅基底包含有位于该单晶硅基底的正面的一隔膜。接着进行一第一阶段各向异性干蚀刻工艺，由单晶硅基底的背面蚀刻单晶硅基底以形成一对应该隔膜的开口，且单晶硅基底的蚀刻停止于单晶硅基底中的一沿该隔膜的边缘延伸的特定晶面上。随后进行一第二阶段各向异性湿蚀刻工艺，并沿特定晶面蚀刻单晶硅基底直至暴露出隔膜以形成一腔体，且腔体具有一类钻石结构形状。