提高铝镓氮材料质量的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明一种提高铝镓氮材料质量的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层成核层；步骤3：在该成核层上生长一层过渡层；步骤4：在该过渡层上生长一层掺杂的铝镓氮层，完成材料的制作。
基本信息
专利标题 ：
提高铝镓氮材料质量的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1956148A
申请号 ：
CN200510118016.3
公开（公告）日 ：
2007-05-02
申请日 ：
2005-10-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵德刚杨辉梁骏吾李向阳龚海梅
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200510118016.3
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2008-12-10 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-06-27 ：
实质审查的生效
2007-05-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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