有机电致发光二极管的控制电路及其制造方法
授权
摘要
本发明公开了一种有机电致发光二极管的控制电路，其包含第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管与电容。其中，第一薄膜晶体管的栅极电连接扫描线，第一薄膜晶体管的第一源极/漏极电连接数据线。第二薄膜晶体管的栅极电连结第一薄膜晶体管的第二源极/漏极，第二薄膜晶体管的第三源极/漏极电连接工作电压，第二薄膜晶体管的第四源极/漏极电连接有机电致发光二极管。电容的一端电连接一参考电压，另一端电连接第二薄膜晶体管的栅极。此电容的介电层的厚度或材料异于第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管其中之一的栅极介电层的厚度或材料。
基本信息
专利标题 ：
有机电致发光二极管的控制电路及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1773693A
申请号 ：
CN200510118411.1
公开（公告）日 ：
2006-05-17
申请日 ：
2005-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彭仁杰张孟祥
申请人 ：
友达光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510118411.1
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L27/12
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2007-10-10 ：
授权
2006-07-12 ：
实质审查的生效
2006-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1773693A.PDF
PDF下载
2、
CN100342525C.PDF
PDF下载
