物理气相沉积金属层的预处理与硅化金属层的制作方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种物理气相沉积金属层的预处理方法，是先提供一衬底，再利用一化学蚀刻工艺对衬底进行一干式清洁工艺，其中上述的化学蚀刻工艺会使氧化物发生反应。然后，进行一退火工艺，之后再进行一冷却工艺。因为在沉积金属层之前对衬底做了处理，所以后续沉积的金属层不会受到影响。
基本信息
专利标题 ：
物理气相沉积金属层的预处理与硅化金属层的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1962925A
申请号 ：
CN200510120422.3
公开（公告）日 ：
2007-05-16
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
江怡颖谢朝景洪宗佑张毓蓝黄建中陈意维
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510120422.3
主分类号 ：
C23C14/02
IPC分类号 ：
C23C14/02
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/02
待镀材料的预处理
法律状态
2009-10-21 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-11 ：
实质审查的生效
2007-05-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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