枝晶生长控制电路和用于控制互连枝晶生长的方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本发明提供了一种电路，其由于枝晶形成电流，防止在半导体器件处理过程中互连上的枝晶形成。该电路包括设置在枝晶形成电流路径的至少一个中的开关。该开关配置为在处理过程中“开路”或处于“截止”状态，以及配置为在处理之后“闭合”或处于“导通”状态，以允许半导体器件的正确功能。该开关可以包括nFET或pFET，取决于它用于控制或防止枝晶形成的环境。开关可以配置为当在制造半导体器件的工作过程中提供输入信号时，变为“闭合”状态。
基本信息
专利标题 ：
枝晶生长控制电路和用于控制互连枝晶生长的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790665A
申请号 ：
CN200510123300.X
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
D·B·赫施贝格尔S·H·沃尔德曼M·J·谢拉克
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于静
优先权 ：
CN200510123300.X
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2010-01-13 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2008-05-28 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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