半导体器件及其制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要

本发明公开了通过减小电容器的表面积来提高有机电致发光显示器件孔径比的半导体器件,和制造该半导体器件的方法。通过形成与电容器电介质膜厚度不同的栅极电极的栅极绝缘膜,可以在不改变电容量的情况下减小电容器的表面积,由此提高有机电致发光显示器件的孔径比。半导体器件包括:多个形成于包括第一区域和第二区域的衬底上的半导体层图形;形成于包括半导体层图形的实质整个衬底表面上的绝缘膜,该绝缘膜在第一区域的一部分和第二区域上具有第一厚度,该第一厚度比第一区域内的半导体层图形的中心部分上的第二厚度小;及多个形成于绝缘膜上以覆盖第一区域内的半导体层图形的中心部分和第二区域内的半导体层图形的导电层图形。

基本信息
专利标题 :
半导体器件及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1794452A
申请号 :
CN200510124965.2
公开(公告)日 :
2006-06-28
申请日 :
2005-10-12
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
姜泰旭
申请人 :
三星SDI株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
陶凤波
优先权 :
CN200510124965.2
主分类号 :
H01L27/04
IPC分类号 :
H01L27/04  H01L21/822  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2012-11-28 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101469146933
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL2005101249652
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星移动显示器株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121024
2011-03-16 :
授权
2009-02-04 :
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 三星SDI株式会社
变更后权利人 : 三星移动显示器株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20090109
2006-08-23 :
实质审查的生效
2006-06-28 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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