一种IGFET，它通过从开口和位错的相邻的边缘处转换(displacing)源极和漏极区的侧边，把在器件区边缘处的位错影响减至最小。这使源极和漏极杂质的横向扩散和进入位错区的金属硅化物的形成减至最小。从开口和位错区的邻近边缘的源极和漏极区侧边的间隙是通过提供从氧化层延伸至衬底区的邻近区中附加的横向对置的第二栅极区，或氧化阻挡层，和在其间延伸的第一栅极区产生的。第一栅极区和两个第二栅极区，或阻挡层，都被用于源极和漏极区的自对准加工中。第一栅极区限定沟道的长度，而两个对置的第二栅极区，即阻挡层，限定沟道区的宽度。把第二栅极部件，或阻挡层，充分地延伸至衬底区中，以使沟道宽度与在氧化物中开口的相邻的边缘隔开。