具有不同结晶取向的SOI器件
专利权的终止
摘要
一种在半导体衬底中形成具有沟槽电容器和垂直晶体管的存储单元的方法，包括以下步骤：提供具有下衬底和上半导体层的接合半导体晶片，下衬底具有平行于第一晶轴的[010]轴，上半导体层具有相对于所述晶轴成45度角的[010]轴，通过接合绝缘体层连接二者；蚀刻沟槽穿过所述上层和下衬底；扩展沟槽的下部，并且将沟槽的上部的截面由八边形转变至矩形，以致降低对在沟槽光刻与有源区光刻之间的对准误差的敏感性；可选方案利用具有由(111)晶体结构形成的下衬底和相同的上部的接合半导体晶片。应用包括垂直晶体管，其对在沟槽与用于有源区的光刻图形之间的未对准变得不敏感，具体为具有垂直晶体管的DRAM单元。
基本信息
专利标题 ：
具有不同结晶取向的SOI器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1797746A
申请号 ：
CN200510125809.8
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程慷果R·迪瓦卡鲁尼C·J·拉登斯
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于静
优先权 ：
CN200510125809.8
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L27/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2012-02-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101180310027
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利号 : ZL2005101258098
申请日 : 20051125
授权公告日 : 20080430
终止日期 : 20101125
号牌文件序号 : 101180310027
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利号 : ZL2005101258098
申请日 : 20051125
授权公告日 : 20080430
终止日期 : 20101125
2008-04-30 ：
授权
2006-08-30 ：
实质审查的生效
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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