减少薄膜式电容真空规零点漂移的装置及其方法

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摘要

本发明涉及微电子技术领域。本发明公开的一种减少薄膜式电容真空规零点漂移的装置及其方法，包括：反应室、真空规及真空规上的加热带、连接反应室和真空规的连接管道，还包括：隔离阀、真空开关、隔离阀上的加热带、连接管道上的加热带，其中，隔离阀设在连接管道上，真空开关设在反应室上。方法：1)将真空开关的设定动作点设置为真空规满流程的100％－150％之间；2)当反应室压力大于真空开关设定点时，关闭隔离阀；3)当反应室压力小于真空开关设定点时，开启隔离阀。本发明能够减少工艺反应副产物和颗粒在真空规内部薄膜上的淀积和附着；防止薄膜式电容真空规零点漂移，提高工艺稳定性。

基本信息

专利标题：

减少薄膜式电容真空规零点漂移的装置及其方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1851853A

申请号：

CN200510126344.8

公开（公告）日：

2006-10-25

申请日：

2005-12-07

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

南建辉

申请人：

北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

申请人地址：

100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司

代理人：

王常风

优先权：

CN200510126344.8

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00 H01L21/67 C23C14/22 C23C16/44 C23F4/00 G01L21/00