本发明涉及一种应用于半导体刻蚀工艺中的屏蔽板。本发明增进流场均匀性的屏蔽板，包括板体，其中所述板体呈环形，在所述板体上由中心向圆周方向呈放射状分布有若干气孔，且若干气孔从板体中心向圆周方向逐渐变大。本发明的有益效果是：本发明中，由于若干气孔在板体上由中心向圆周方向呈放射状分布，且若干气孔从板体中心向圆周方向逐渐变大，从而改变了气体在反应腔室内部的流动途径，改善了气体在反应腔室内部的分布均匀性，使得在晶片表面上各点的刻蚀速率更加相近。即使随着晶片尺寸的增大，本发明的技术方案也能很好地控制从晶片中央到边缘的刻蚀速率和均匀性。