晶片举升装置及举升方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本发明涉及微电子技术领域中。本发明晶片举升装置包括升降轭和固定在升降轭上的若干根顶针,其中升降轭上设有与大地电连接的放电电路,该电路上设有电荷检测装置。晶片举升装置的优点和积极效果在于:其可以检测出晶片上的电荷是否释放完全,因此可保证对晶片进行举升时,晶片是完全不带电了,避免了因此而损坏晶片,提高了工作可靠性;同时还可以在放电完全时立刻进行举升动作,提高了生产效率。本发明的晶片举升方法,采取分步举升晶片的方式:第一步上升一微小高度,顶针对晶片进行充分放电;第二步将晶片升至取回高度。在此过程中可以保证晶片放电完全,且电动动作缓和,不会对晶片造成误撞击而损坏。

基本信息
专利标题 :
晶片举升装置及举升方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1848405A
申请号 :
CN200510126436.6
公开(公告)日 :
2006-10-18
申请日 :
2005-12-09
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王志升
申请人 :
北京圆合电子技术有限责任公司
申请人地址 :
100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号
代理机构 :
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 :
向华
优先权 :
CN200510126436.6
主分类号 :
H01L21/683
IPC分类号 :
H01L21/683  H01L21/00  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2018-08-24 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/683
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
2011-04-20 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101081115638
IPC(主分类) : H01L 21/683
专利号 : ZL2005101264366
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京圆合电子技术有限责任公司
变更后权利人 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后权利人 : 100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
登记生效日 : 20110311
2008-10-01 :
授权
2006-12-13 :
实质审查的生效
2006-10-18 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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