金属银二硫化钼插层复合材料的制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种金属银二硫化钼插层复合材料的制备方法。该方法是一种基于高分子保护条件下的金属单质的插层方法，即先将聚合物与含有金属离子的水溶液混合形成均匀的溶胶体系，然后将溶胶插入到单层二硫化钼层间，最后对金属离子进行还原处理即得到含高分子和金属单质的二硫化钼插层复合材料。该方法开辟了合成插层复合材料的新途径，所制备的插层复合材料中金属离子已被完全转化成金属单质，而不是金属离子和金属单质的混合物。这种高分子保护条件下的金属单质的插层方法简单实用，有广阔的应用前景。本发明的材料的电导率较二硫化钼提高了6个数量级，在导电材料，润滑材料，微电子机械领域具有潜在应用价值。
基本信息
专利标题 ：
金属银二硫化钼插层复合材料的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1978517A
申请号 ：
CN200510126586.7
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王廷梅刘维民王齐华薛群基
申请人 ：
中国科学院兰州化学物理研究所
申请人地址 ：
730000甘肃省兰州市城关区天水中路18号
代理机构 ：
兰州中科华西专利代理有限公司
代理人 ：
方晓佳
优先权 ：
CN200510126586.7
主分类号 ：
C08L29/04
IPC分类号 ：
C08L29/04 C08L39/06 C08K3/30
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08L
高分子化合物的组合物
C08L29/00
具有1个或更多的不饱和脂族基化合物的均聚物或共聚物的组合物，每个不饱和脂族基只有1个碳-碳双键，并且至少有1个是以醇、醚、醛、酮、醛缩醇或酮缩醇基为终端；不饱和醇与饱和羧酸的酯水解的聚合物的组合物；此种聚合物的衍生物的组合物
C08L29/02
不饱和醇的均聚物或共聚物
C08L29/04
聚乙烯醇；部分水解的不饱和醇与饱和羧酸的酯的均聚物或共聚物
法律状态
2009-08-26 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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