半导体元件与内连线结构及各自的制作方法
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摘要
一种半导体元件，此半导体元件包括一基底、一晶体管、一硬掩模层与一抗反射层。基底具有第一区域与第二区域，其中第二区域为光感测区。晶体管配置于第一区域的基底上。硬掩模层配置于第二区域的基底上。抗反射层配置于硬掩模层与基底之间。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件与内连线结构及各自的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1971921A
申请号 ：
CN200510126854.5
公开（公告）日 ：
2007-05-30
申请日 ：
2005-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜元升陈炫旭
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510126854.5
主分类号 ：
H01L27/144
IPC分类号 ：
H01L27/144 H01L23/522 H01L21/82 H01L21/768
相关图片
法律状态
2009-03-11 ：
授权
2007-07-25 ：
实质审查的生效
2007-05-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN100468752C.PDF
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