使用沸石改进低k值的间层电介质的机械强度
专利权的终止
摘要
一种方法，用于使用聚合物浸渍低k值沸石电介质层的微孔，并且在其中形成互连结构，这样就机械地强化了所述电介质层，并且阻止了微孔内的金属沉淀。
基本信息
专利标题 ：
使用沸石改进低k值的间层电介质的机械强度
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1808698A
申请号 ：
CN200510127147.8
公开（公告）日 ：
2006-07-26
申请日 ：
2005-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
B·波亚诺夫G·科罗斯特M·古德纳
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
李玲
优先权 ：
CN200510127147.8
主分类号 ：
H01L21/3105
IPC分类号 ：
H01L21/3105 H01L21/768 H01L23/522
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
法律状态
2018-11-09 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/3105
申请日 : 20051122
授权公告日 : 20090610
终止日期 : 20171122
申请日 : 20051122
授权公告日 : 20090610
终止日期 : 20171122
2009-06-10 ：
授权
2006-09-20 ：
实质审查的生效
2006-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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