有机电致发光元件的制造方法以及多碳薄膜的制造方法
专利权的终止
摘要
一种有机电致发光元件的制造方法，其包括下列步骤。首先，提供基板。接着，于基板上形成阳极层。再来，于阳极层上形成缓冲层，其中形成此缓冲层的步骤是先形成碳氟薄膜在阳极层上，而此碳氟薄膜中具有多个碳－氟键结分子，接着，对碳氟薄膜进行改质处理，使碳－氟键结分子转变成碳－碳键结分子。接着，形成多个有机层于缓冲层上。继之，形成阴极层于有机层上。由于使用了导电性良好的缓冲层，所以有机电致发光元件将具有良好的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
有机电致发光元件的制造方法以及多碳薄膜的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979918A
申请号 ：
CN200510127513.X
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沈汶键高一龙汤舜钧曾启光
申请人 ：
中华映管股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省台北市中山北路三段二十二号
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陈亮
优先权 ：
CN200510127513.X
主分类号 ：
H01L51/56
IPC分类号 ：
H01L51/56 H05B33/10
法律状态
2020-11-13 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 51/56
申请日 : 20051205
授权公告日 : 20091216
终止日期 : 20191205
申请日 : 20051205
授权公告日 : 20091216
终止日期 : 20191205
2009-12-16 ：
授权
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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