本发明涉及半导体晶片加工中的刻蚀装置。本发明气流分布均匀的刻蚀装置包括反应室和下电极支撑装置，其中下电极支撑装置由偶数个对称布置的连接套管组成。本发明的积极效果是：由于连接套管是对称布置的，所以气流受到的阻碍也是对称的，于是在晶片上方的气流也具有良好的对称性；另外由于连接套管安装在静电卡盘的下端部位置，气流受阻碍的位置在静电卡盘侧壁与反应室侧壁形成的环形区域内，而在静电卡盘上表面边缘位置处几乎不受到阻碍气流的影响，所以在晶片上方的气流也几乎不会受到影响，这就使得在晶片上方的气流分布非常均匀，这样对等离子体形成均匀场有很好的促成作用，使化学反应速度、刻蚀速率具有较好的均匀性。