存储器输出级电路以及存储器数据输出的方法
授权
摘要
一种存储器输出级电路，包括：第一预充电电路，耦接至读取位线，该读取位线耦接至多个存储器单元的输出端，而该第一预充电电路用以于读取该等多个存储器单元前将该读取位线充电至高电位；感测放大器电路，耦接至该读取位线，用于检测该读取位在线的电压，并与该高电位相比较后，输出比较结果信号于两输出节点。
基本信息
专利标题 ：
存储器输出级电路以及存储器数据输出的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819058A
申请号 ：
CN200510131405.X
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄超圣
申请人 ：
威盛电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台北县
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
黄小临
优先权 ：
CN200510131405.X
主分类号 ：
G11C11/417
IPC分类号 ：
G11C11/417 G11C11/419 G11C7/10 G11C7/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/413
辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的
G11C11/417
用于场效应型存储单元的
法律状态
2009-12-23 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
