碳纳米管、电子发射源、电子发射装置和其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种X射线衍射的半峰全宽是0.6或更低的碳纳米管、包括该碳纳米管的电子发射源和包括该电子发射源的电子发射装置。
基本信息
专利标题 :
碳纳米管、电子发射源、电子发射装置和其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1815665A
申请号 :
CN200510131579.6
公开(公告)日 :
2006-08-09
申请日 :
2005-11-15
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
南仲祐柳美爱
申请人 :
三星SDI株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
范赤
优先权 :
CN200510131579.6
主分类号 :
H01J1/30
IPC分类号 :
H01J1/30 H01J29/04 C01B31/00 C01B31/02 B82B1/00 B82B3/00 H01J9/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J1/00
电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔,通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件
H01J1/02
主电极
H01J1/30
冷阴极
法律状态
2016-01-06 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101640729907
IPC(主分类) : H01J 1/30
专利号 : ZL2005101315796
申请日 : 20051115
授权公告日 : 20110706
终止日期 : 20141115
号牌文件序号 : 101640729907
IPC(主分类) : H01J 1/30
专利号 : ZL2005101315796
申请日 : 20051115
授权公告日 : 20110706
终止日期 : 20141115
2011-07-06 :
授权
2007-12-05 :
实质审查的生效
2006-08-09 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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