可控式变容器
授权
摘要
本案揭示一种用以改良CMP制程及改良与主动区域电气绝缘的空白区域变容器以及其形成方法,该变容器包含具有一空白区域的一半导体基板,该空白区域包含具有一第一极性的一第一井区;一浅沟渠绝缘(STI)结构,是位于该基板中,以定义含有第一、第二及第三平台区的相邻平台区;以及一第二井区,是具有第二极性,位于具有该第二极性的该第一平台下方,以形成一PN接面界面;其中具有该第一极性的该第二及第三平台区是形成于相邻该第一平台区的每一侧。
基本信息
专利标题 :
可控式变容器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1841740A
申请号 :
CN200510135095.9
公开(公告)日 :
2006-10-04
申请日 :
2005-12-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
郑钧隆郑光茗林生元
申请人 :
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 :
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 :
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 :
寿宁
优先权 :
CN200510135095.9
主分类号 :
H01L27/04
IPC分类号 :
H01L27/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2009-04-22 :
授权
2006-12-06 :
实质审查的生效
2006-10-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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