液量监视装置、搭载液量监视装置的半导体制造装置、以及液体...
专利权的终止
摘要
半导体制造装置包括：包含收容液体材料的容器(Xb、Ab、Bb、Cb)，从该容器供给上述液体材料的液体材料供给部；使由上述液体材料供给部供给的上述液体材料气化而生成气体的液体气化部；使用由上述液体气化部供给的上述气体进行成膜处理的处理部；对上述处理部进行排气的排气部；以及配置在上述容器的底部，利用声波检测上述液体材料的液位的液位检测器(Xs、As、Bs、Cs)。
基本信息
专利标题 ：
液量监视装置、搭载液量监视装置的半导体制造装置、以及液体材料和液量的监视方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1993805A
申请号 ：
CN200580026440.3
公开（公告）日 ：
2007-07-04
申请日 ：
2005-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安室章饭塚八城
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200580026440.3
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 C23C16/448 G01F23/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2016-12-07 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101691187038
IPC(主分类) : H01L 21/205
专利号 : ZL2005800264403
申请日 : 20051018
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20151018
号牌文件序号 : 101691187038
IPC(主分类) : H01L 21/205
专利号 : ZL2005800264403
申请日 : 20051018
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20151018
2009-05-06 ：
授权
2007-08-29 ：
实质审查的生效
2007-07-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN100485871C.PDF
PDF下载
2、
CN1993805A.PDF
PDF下载
