从蚀刻沟槽中移除聚合物涂层的方法
专利权的终止
摘要
提供一种从限定在硅晶片[5]中的蚀刻沟槽的侧壁上移除聚合物涂层的方法。该方法包括在偏压等离子体蚀刻室中利用O2等离子体蚀刻晶片。室温度在90～180℃范围内。
基本信息
专利标题 ：
从蚀刻沟槽中移除聚合物涂层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101036218A
申请号 ：
CN200580033918.5
公开（公告）日 ：
2007-09-12
申请日 ：
2005-10-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
达雷尔·拉鲁埃·麦克雷诺兹卡·西尔弗布鲁克
申请人 ：
西尔弗布鲁克研究有限公司
申请人地址 ：
澳大利亚新南威尔士
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾晋伟
优先权 ：
CN200580033918.5
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/308
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2013-11-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101542323499
IPC(主分类) : H01L 21/3065
专利号 : ZL2005800339185
申请日 : 20051004
授权公告日 : 20091202
终止日期 : 20121004
号牌文件序号 : 101542323499
IPC(主分类) : H01L 21/3065
专利号 : ZL2005800339185
申请日 : 20051004
授权公告日 : 20091202
终止日期 : 20121004
2009-12-02 ：
授权
2007-11-07 ：
实质审查的生效
2007-09-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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