用于高电压应用的MOSFET及其制作方法

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摘要

一种包括绝缘体上半导体(SOI)衬底的PMOS器件，所述SOI衬底具有在其上提供n型半导体材料的有源层(24)的绝缘材料层(22)。通过扩散将p型源极和漏极区(14、16)设置在n型有源层(22)中。将p型栓塞(28)设置在源极区(14)处，该栓塞穿过有源半导体层(24)延伸至绝缘层(22)。提供栓塞(28)以便能够将施加到器件上的源极电压显著地偏移到衬底电压以上，而不会发生过大的泄漏电流。

基本信息

专利标题：

用于高电压应用的MOSFET及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101040388A

申请号：

CN200580035043.2

公开（公告）日：

2007-09-19

申请日：

2005-10-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

扬·J·科宁扬－哈姆·尼兰约翰内斯·H·H·A·埃格伯斯马尔腾·J·斯韦恩伯格阿尔弗雷德·格雷克斯特阿德里安娜·W·鲁迪克休泽

申请人：

皇家飞利浦电子股份有限公司

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱进桂

优先权：

CN200580035043.2

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/786

法律状态

2010-06-09 ：

授权

2008-04-30 ：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080404

2007-12-19 ：

实质审查的生效

2007-09-19 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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