电迁移控制
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
公开了一种控制半导体器件的图案化导电层(9)中的电迁移及其不利效应的方法。通过选定原子的注入，在沿金属互连(9)的长度的相应位置处产生多个空位阻碍物(10)。每一个空位阻碍物(10)引起通过电迁移(8)产生的空位在其位置处聚积，从而沿线路(9)的长度分布该电迁移的总效应，并且显著地增加了半导体器件的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
电迁移控制
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101044612A
申请号 ：
CN200580036086.2
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2005-10-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
让－菲利普·雅克曼
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱进桂
优先权 ：
CN200580036086.2
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2009-08-12 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-04-30 ：
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080404
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080404
2007-12-19 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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