具有掺杂钛酸盐主体的金属－氧化物－半导体
专利权的终止
摘要
一种金属－氧化物－半导体(MOS)器件，具有单晶钛酸锶或钛酸钡主体，其中所述主体包括与介电区(26)相邻的掺杂半导体区(24)。所述主体还包括借助介电区而与半导体区分离的掺杂导电区。以各种方式掺杂时，利用单晶钛酸锶的本质特征，提供MOS叠层的绝缘部件、导电部件和半导体部件。使用单独的主体有利地避免了在叠层部件之间出现界面层，改善了诸如场效应晶主体管之类的MOS器件的特征。
基本信息
专利标题 ：
具有掺杂钛酸盐主体的金属－氧化物－半导体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101044608A
申请号 ：
CN200580036120.6
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2005-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
古川有纪子文森特·C·韦内齐亚拉杜·苏尔代亚努
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
陈瑞丰
优先权 ：
CN200580036120.6
主分类号 ：
H01L21/34
IPC分类号 ：
H01L21/34 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
法律状态
2018-06-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/34
申请日 : 20051019
授权公告日 : 20100908
终止日期 : 20151019
申请日 : 20051019
授权公告日 : 20100908
终止日期 : 20151019
2010-09-08 ：
授权
2008-06-25 ：
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080523
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080523
2007-12-19 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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