在等离子体蚀刻处理期间保护硅或碳化硅电极表面免于形态改性...
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摘要
提供了在等离子体处理室的硅或碳化硅电极上形成保护性聚合物涂层的方法。相对于对等离子体和气体反应剂组分的暴露，聚合物涂层对下面的电极表面提供保护。所述方法可以在清洗室的处理期间，或在室中蚀刻半导体基材的处理期间进行。
基本信息
专利标题 ：
在等离子体蚀刻处理期间保护硅或碳化硅电极表面免于形态改性的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101053068A
申请号 ：
CN200580037637.7
公开（公告）日 ：
2007-10-10
申请日 ：
2005-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈婉琳竹下健二朝生强川口晴司T·麦克拉德E·马格尼M·凯利M·卢潘R·赫夫蒂
申请人 ：
兰姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
任宗华
优先权 ：
CN200580037637.7
主分类号 ：
H01L21/302
IPC分类号 ：
H01L21/302
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
2009-03-04 ：
授权
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2007-10-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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