在多层存储设备编程过程中调节编程电压值的方法和系统
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
在多层存储设备编程过程中调节编程电压值包括利用在输出泵调节电路中的编程路径复制。进一步，利用所述输出泵调节电路为存储单元编程提供调节的编程电压，所述调节的编程电压用来校准编程路径压降和补偿温度变化。
基本信息
专利标题 ：
在多层存储设备编程过程中调节编程电压值的方法和系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101065808A
申请号 ：
CN200580040251.1
公开（公告）日 ：
2007-10-31
申请日 ：
2005-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马西米利亚诺·弗罗里奥西蒙妮·巴托利大卫·曼弗雷安德里亚·萨可
申请人 ：
爱特梅尔股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海恩田旭诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁国芳
优先权 ：
CN200580040251.1
主分类号 ：
G11C16/04
IPC分类号 ：
G11C16/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
法律状态
2010-08-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101006993333
IPC(主分类) : G11C 16/04
专利申请号 : 2005800402511
公开日 : 20071031
号牌文件序号 : 101006993333
IPC(主分类) : G11C 16/04
专利申请号 : 2005800402511
公开日 : 20071031
2007-12-26 ：
实质审查的生效
2007-10-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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