提供温度补偿的输出电压的参考电压发生器
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种提供参考电压(Vref_new)的参考电压发生器(40)。电压发生器(30)在小于硅带隙电压的电源电压(Vdd)操作。它包括用作跨导器(Gptat)的MOSFET晶体管(MN；MN3；MP4；MP7)。提供了用于把漏极电流(Iptat)馈入所述MOSFET晶体管(MN；MN3；MP4；MP7)的漏极的输入节点，而且输出节点与所述MOSFET晶体管(MN；MN3；MP4；MP7)的漏极和栅极相连。电流发生器(42)允许MOSFET晶体管(MN；MN3；MP4；MP7)在特定模式下操作，其中漏极电流(Iptat)具有正温度系数(αptat)且跨导器(Gptat)具有负温度系数(αGM)。选择MOSFET晶体管的尺寸(W，L)，以使所述负温度系数(αGM)接近所述正温度系数(αptat)，以使所述输出节点处提供的所述参考电压(Vref_new)得到温度补偿。
基本信息
专利标题 ：
提供温度补偿的输出电压的参考电压发生器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101443721A
申请号 ：
CN200580041712.7
公开（公告）日 ：
2009-05-27
申请日 ：
2005-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王振华
申请人 ：
NXP股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱进桂
优先权 ：
CN200580041712.7
主分类号 ：
G05F3/24
IPC分类号 ：
G05F3/24
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F3/00
应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统
G05F3/02
调节电压或电流的
G05F3/08
其中变量是直流的
G05F3/10
利用具有非线性特性的非控制器件
G05F3/16
非控制器件是半导体器件
G05F3/20
应用了二极管与三极管的组合
G05F3/24
其中只用场效应型晶体管的
法律状态
2021-11-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G05F 3/24
申请日 : 20051201
授权公告日 : 20110406
终止日期 : 20201201
申请日 : 20051201
授权公告日 : 20110406
终止日期 : 20201201
2011-04-06 ：
授权
2009-07-22 ：
实质审查的生效
2009-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101443721B.PDF
PDF下载
2、
CN101443721A.PDF
PDF下载
