高纯多面体低聚硅倍半氧烷单体的制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
多面体低聚硅倍半氧烷的合成方法，其以高收率产生适用在微电子用途中的低树脂含量、无溶剂且无痕量金属的单体。使POSS硅烷醇与硅烷偶联剂在溶剂和超强碱存在下反应。
基本信息
专利标题 ：
高纯多面体低聚硅倍半氧烷单体的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101072811A
申请号 ：
CN200580042046.9
公开（公告）日 ：
2007-11-14
申请日 ：
2005-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J·J·施瓦博安以中S·马里克B·B·德
申请人 ：
杂混复合塑料公司
申请人地址 ：
美国密西西比
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
陈昕
优先权 ：
CN200580042046.9
主分类号 ：
C08G77/08
IPC分类号 ：
C08G77/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08G
用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物
C08G77/00
在高分子主链中形成含硅键合，有或没有硫、氮、氧，或碳键合反应得到的高分子化合物
C08G77/04
聚硅氧烷
C08G77/06
制备的工艺过程
C08G77/08
以使用的催化剂为特征
法律状态
2010-08-18 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101004078476
IPC(主分类) : C08G 77/08
专利申请号 : 2005800420469
公开日 : 20071114
号牌文件序号 : 101004078476
IPC(主分类) : C08G 77/08
专利申请号 : 2005800420469
公开日 : 20071114
2008-01-09 ：
实质审查的生效
2007-11-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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