用于改变光的极化状态的方法和装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种利用磁单轴晶体改变光的极化状态的方法，该晶体首先具有特定的多畴结构，其中光穿过晶体的预定区域，并且在晶体(1)上施加具有磁场强度H1的磁场脉冲，在该磁场强度下晶体(1)转变为可逆的单畴状态。为了在尽可能小的开关和响应时间下扩大可用的孔径，在晶体(1)转变到可逆单畴状态之后在该晶体(1)上施加相同极性并具有磁场强度H2的保持磁场，该磁场强度H2小于磁场强度H1并且保持可逆的单畴状态。
基本信息
专利标题 ：
用于改变光的极化状态的方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101076753A
申请号 ：
CN200580042285.4
公开（公告）日 ：
2007-11-21
申请日 ：
2005-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
尤里·S·迪多斯延
申请人 ：
维也纳工业大学;伊泰克股份公司
申请人地址 ：
奥地利维也纳
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
赵科
优先权 ：
CN200580042285.4
主分类号 ：
G02F1/09
IPC分类号 ：
G02F1/09
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/09
基于磁—光元件的，例如，呈现法拉第效应的
法律状态
2009-08-26 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2007-11-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
