薄膜声反射器迭层
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种制作包括第一和第二材料的交替层的薄膜声反射器迭层的方法，所述第一和第二材料具有不同的声学特征阻抗，其中，通过反应脉冲直流磁控溅射工艺交替地沉积各层。本发明还包括由此制作的声反射器迭层以及用于执行所述方法的配置。
基本信息
专利标题 ：
薄膜声反射器迭层
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101080869A
申请号 ：
CN200580043139.3
公开（公告）日 ：
2007-11-28
申请日 ：
2005-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汉斯－彼德·勒布尔阿恩德·里茨克里斯托弗·梅茨马赫尔
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱进桂
优先权 ：
CN200580043139.3
主分类号 ：
H03H3/02
IPC分类号 ：
H03H3/02 C23C14/00
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法律状态
2016-01-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101643904366
IPC(主分类) : H03H 3/02
专利号 : ZL2005800431393
申请日 : 20051207
授权公告日 : 20091104
终止日期 : 20141207
号牌文件序号 : 101643904366
IPC(主分类) : H03H 3/02
专利号 : ZL2005800431393
申请日 : 20051207
授权公告日 : 20091104
终止日期 : 20141207
2012-10-03 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101454940409
IPC(主分类) : H03H 3/02
专利号 : ZL2005800431393
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : NXP股份有限公司
变更后权利人 : 特里奎恩特半导体公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 美国俄勒冈州
登记生效日 : 20120903
号牌文件序号 : 101454940409
IPC(主分类) : H03H 3/02
专利号 : ZL2005800431393
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : NXP股份有限公司
变更后权利人 : 特里奎恩特半导体公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 美国俄勒冈州
登记生效日 : 20120903
2009-11-04 ：
授权
2008-04-30 ：
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080404
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080404
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2007-11-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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