半导体片纵式热处理装置用磁性流体密封单元
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
在旋转轴(20)的下端固定有从单元主体(30)的下方向外周翻回的外壳构件(60)。利用磁性流体密封部(40)，将旋转轴(20)与单元主体(30)之间的间隙磁性密封。另外，在单元主体(30)与外壳构件(60)之间，在单元主体(30)的下端部分设置轴承部(70)。进而，在比磁性流体密封部(40)更靠近反应容器侧，并且在磁性流体密封部(40)的附近的位置中，向旋转轴(20)与主体(30)之间的间隙供应清洗气体。
基本信息
专利标题 ：
半导体片纵式热处理装置用磁性流体密封单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101084571A
申请号 ：
CN200580043902.2
公开（公告）日 ：
2007-12-05
申请日 ：
2005-12-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
岛崎靖幸野口学
申请人 ：
株式会社理学
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
史雁鸣
优先权 ：
CN200580043902.2
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 H01L21/22 H01L21/324
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2009-06-17 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2007-12-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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