通过酸性溶液进行的硅电极组件表面去污
发明专利申请公布后的驳回
摘要
用于清洗电极组件的硅表面的方法，该方法使用包含氢氟酸、硝酸、醋酸和余量去离子水的酸性溶液，从硅表面上有效去除污染物而不会使硅表面变色。
基本信息
专利标题 ：
通过酸性溶液进行的硅电极组件表面去污
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101099230A
申请号 ：
CN200580046171.7
公开（公告）日 ：
2008-01-02
申请日 ：
2005-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石洪黄拓川周春红
申请人 ：
兰姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
李帆
优先权 ：
CN200580046171.7
主分类号 ：
H01L21/302
IPC分类号 ：
H01L21/302 C11D7/32 H01L21/461
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
2013-08-28 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101654860104
IPC(主分类) : H01L 21/302
专利申请号 : 2005800461717
申请公布日 : 20080102
号牌文件序号 : 101654860104
IPC(主分类) : H01L 21/302
专利申请号 : 2005800461717
申请公布日 : 20080102
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2008-01-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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